第29章 支援(第2/2 頁)

之後，葉成這才鬆了口氣，自己之前口嗨要了這麼多人，有點汗流浹背了。

他知道自己的水平，唬一唬徐潛還行，真來個數學家，自己給他提鞋都不配，一下子就露餡了。

好在老爹早就將這些人擅長的領域和資料交給了葉成，不然葉成不了解這些人研究的東西，插上話的機會都沒有。

時間回到一週前，葉天河去找人的時候，葉成便在思考究竟如何實現計算器的積體電路。

如果搓矽片的話，現在的水平有點太不夠了，很難憑藉手來操作這麼精細的東西，而用別的，考慮到效率問題，也不好弄。

葉成只好問徐潛，有沒有什麼傳遞很快的東西。

徐潛思考了一番之後，說道：

“法器裡面的靈力傳遞就很快。”

葉成做了兩天實驗，發現法器裡面靈力傳遞的速度確實很快，只是不知道是什麼原理，但是管他什麼原理。

然後葉成又向徐潛解釋了一下mos（金屬-氧化物半導體）結構的原理。

大概是說，不同的電壓，會決定電路會不會導通。

比如，nmos，高於閾值電壓，電路會導通，低於閾值電壓，電路會絕緣。

而pmos，則恰恰相反，高於閾值電壓電路會絕緣，低於閾值電壓，電路會導通。

n指的是n型摻雜，簡單理解就是在矽晶體中摻入磷原子。

而眾所周知，矽原子的最外層電子數為4個，矽晶體呈現以下排布方式：

：矽：矽：矽：矽：

（··）(··）(··）(··）

：矽：矽：矽：矽：

（··）(··）(··）(··）

：矽：矽：矽：矽：

（示意圖，··：代表電子對）

每個矽周圍有八個電子，兩兩之間共用電子對。

而如果摻入磷原子，磷原子的最外層電子數為5，和周圍共用之外，還會多出一個電子，而在電路中，這個電子會被正極所吸引形成電流，這就是所謂的n型摻雜。

硼原子的最外層電子數為3，和周圍的矽原子共用電子對，少一個電子，就是所謂的p型摻雜。

因此，用p和n組合形成pmos和nmos，才會又完全相反的性質。

而將pmos和nmos的漏極連線起來，就組成了cmos。

簡單地說，將cmos的源極接入電源，將cmos的柵極連線為A，漏極連線為b，就能組成一個非門。

意思就是輸入端A為高壓，b端則會輸出低壓。

而輸入端A為低壓，b段則會輸出高壓。

將高壓定為1，低壓定為0。

就是輸入 1，輸出0，輸入0，輸出1。

葉成將上面的東西講給徐潛，徐潛思考了很久。

究竟什麼物質，才能使得靈力的傳遞路線呈現這樣的結構和性質？

徐潛思索半天之後，並無所獲，因為在實際的運用中，煉器使用的自然是親靈力的材質，靈力在之中非常順暢，不可能出現這種半導體的性質。

好在兩人等到了專業團隊的到來，不然真不知道該怎麼弄。