第26章 光刻機與人才(第1/3 頁)

當前，國家的人才都是幹部，有編制的，人才的流動極為困難。

但是很多研究所都是人浮於事，甚至是無所事事，沒有資金，沒有專案，看著挺悠閒，但是收入很少。

並且，內地的民營經濟還沒起來，至於週末工程師、造原子彈不如賣茶葉蛋等現象，還沒有出現。

電力保證，這是經濟賬，上面領導算一算，就能算過來了，不涉及原則問題。

但是人才，給資本家的工廠幹活，這是原則問題。

這些問題確實讓領導為難，但是也沒辦法。

眾多的人才，分散的這裡一個，那裡一個。各搞各的，嚴重缺乏溝通和交流，導致步調也不一致，造成極大地浪費。

這些情況，林天河並沒有調查過，卻是真實存在的。

但是林天河把晶圓廠開到內地來，如果沒辦法利用內地的人才，還不如開在港城了。

事實上，當前國內研製光刻機的就有華科院、1445電子所、青華大學、科學院109廠、機電部45所等很多機構院所。

光刻機從發展先後來劃分，可以分為接觸式、接近式、投影式、步進式和步進掃描式，再到後面的浸潤式和EUV光刻機。

所謂接觸式，是把掩膜板蓋在塗有光刻膠的矽片上，開啟光源完成曝光。

問題是，光刻膠容易汙染掩膜板，且掩膜板易損壞，所以良品率低，成本昂貴。

而接近式中，掩膜板不與矽片接觸，在光刻機中加入量測工具，使兩者儘量貼近。

但是光有衍射，造成投影邊緣模糊，精度下降，有較大的投影誤差。

1974年，美國pE推出投影式光刻機，把掩膜板上的圖形，經過三次反射，投射在矽片上，可以消除誤差，達到理想解析度。把良率從接觸式的10%提高到70%。

Apple II使用的6502晶片，只要25美金，就是這種光刻機運用的結果。但是這種方式，解析度無法再提高。

GcA公司抓住了機會，1978年推出了dSw4800。光刻機邁進了步進投影式。

原理是把掩膜板上的圖形，縮小到原來的1\/4或1\/5，再投射到矽片上，提高了曝光強度和解析度上限，當光刻機精度進入微米級。

此時，工件臺的定位精度和運動速度，就顯得極為重要，也讓光刻機進入了多工廠合作模式。

dSw4800這臺光刻機，售價只要50萬美金，而一臺Ibm大型電腦，差不多也是這個價。這也說明，在林天河當下，光刻機並不是可望不可及的高科技產品。

國內的光刻機，其實也不差，說到底，當前的光刻機還不是後世ASmL那種，由幾十萬個零部件組成的龐大系統。

在1966年時，109廠與上海光學儀器廠協作研製出65型接觸式光刻機.到了77年，GK-3型半自動光刻機誕生，仍然是一臺接觸式光刻機。

78年，在GK-3型的基礎上研發了GK-4，還是接觸式的。

1980年，青華大學研製的分散式投影光刻機獲得成功，精度達到3微米，接近主流水平，Intel的8086製程就是3微米。

但是這遠稱不上先進，國外已經可以做到1微米，只是晶圓廠更新裝置沒那麼快。

而接下來的1981年，華科院又研製了JK-1型半自動接近式光刻機，這不是倒回去了嗎？

1982年，科學院109廠研製了KhA-75-1，《儀表工業》評價這是一款接近、接觸式半自動光刻機！

終於，1985年中電科45所（機械部45所）研製出分步投影光刻機，後世評價稱達到dSw4800的水平