第82章 大豐收(第2/5 頁)

下怎麼好好利用btc作業系統時，

系統的聲音再次響起。

【叮……！】

【額外獎勵！】

【恭喜宿主完成隱藏任務：登上熱搜榜第一名，獲得特殊獎勵——】

【U3高速讀寫tF記憶體卡生產圖紙一張，品質：良好（b級），可下載。】

【3d NANd(多層數儲存的快閃記憶體型別)——cJiang架構專利技術，品質：優秀（A級），可下載。】

竟然還有隱藏獎勵。

莫燃微微一愣，隨即注意力轉移到眼前的兩個獎勵上來。

不過，看到第一個獎勵時他情不自禁的搖頭笑了笑。

竟然獎勵了一個tF記憶體卡的生產圖紙。

他是知道的，最近因為“尼采x1”的出現，網路上引起了不少關於tF記憶體卡的爭論。

而“尼采x1”作為一款“可擴充套件tF記憶體卡”的手機，自然被捲入這場旋渦，成為tF記憶體卡的代言人。

甚至，這些天他也在考慮要不要出廠時每部手機贈送一塊記憶體卡。

沒想到現在系統竟然給了他一份tF記憶體卡的生產圖紙，這難道是在預示著讓尼采進軍tF記憶體卡界？

自產自銷？

倒也不是不可以。

略微感慨的笑了笑，不過等他看到第二個獎勵時，有些懵了。

首先。

3d-NANd是什麼？

莫燃也沒著急，隨即退出系統在網路上搜尋了一下。

原來。

3d-NANd是一種新興的快閃記憶體型別（儲存型別）。

傳統的記憶體卡大多是使用2d-NANd的方式，也就是透過2d平面的方式將記憶體顆粒有序排列，最終制造生產成為一張張比如2Gb、4Gb、8Gb的記憶體卡。

2d平面結構的設計導致空間比較小，記憶體卡的儲存容量也就相應比較小，經過這麼多年研發後2d-NANd方案已經基本達到了擴充套件極限。

而3d-NANd則不同了。

簡單的說。

3d-NANd是一種全新的快閃記憶體設計理念，將以前的2d平面設計變成3d設計，從而可以在平面上不斷的增加層數、增加記憶體晶片的數量，從而製造出更大容量的記憶體卡。

就好比以前的2d是一棟棟小平房，

現在的3d則是在小平房上蓋起三四十樓的高樓大廈一樣，儲存的容量加大，讀寫速度加快、耐用性大幅度提高，甚至，每千兆位元組的成本也大幅下降。

最令莫燃驚喜的是，

放眼全球，

“3d-NANd”快閃記憶體設計也就僅僅只有三星電子、英特爾和全球最大的半導體儲存製造商——鎂光有一點點成果！

而國內！

“3d-NANd”新一代快閃記憶體晶片完全是一片空白！

可以說，

如果第一個獎勵是讓尼采公司可以利用生產圖紙生產一款“U3高速讀寫的tF卡”。

那麼，第二個獎勵，

無疑是讓尼采獲得了全球最新“3d-NANd”快閃記憶體下的“cjiang架構專利技術”。

接下來，尼采完全可以組建研發團隊，利用“cjiang架構”大力研發出更多3d-NANd的新興儲存產品！

比如tF記憶體卡、比如隨身碟，比如固態硬碟！

甚至。

完全可能成為鎂光、三星、西部數碼這些大型國際廠商的競爭對手，彌補國產廠家在記憶體卡、固態硬碟上長期的空白！

這是拿到了記憶體晶片行業的入場券了呀。

莫燃重重地撥出一口氣，再